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상압 VHF 플라즈마 CVD 장비 정보 안내
상압 VHF 플라즈마 CVD 1번째 이미지
장비명 상압 VHF 플라즈마 CVD
제작사명/모델 소로나/SAC-104
장비도입금액 142,381,600원
사용료 360,000원/샘플당
장비사용 예약 및
기타문의
기술사업실 장우석 연구원 T. 061-288-1054, email : cws@gei.re.kr
취득일자 2011-12-31
장비특징 및 사양 박막태양전지 요소기술의 하나인 실리콘박막의 저온고속성장기법 개발 연구.
고품질의 박막을 저온에서 고속성장 시키는 기술, LCD 기술을 기반으로 한 국내 다수의 업체가 기술개발 중.
세계 최초로 시도되는 기술로서 오사카대학 야스타케 교수팀과 공종으로 설계하여 자체 제작한 장비.

진공상태가 아닌 상압에서 고주파 플라즈마를 이용해 기존 장비의 10배 이상 속도(1um/min)로 비정질, 미세결정질, 에피텍셜 실리콘계 박막을 500도 이하의 저온에서 성장가능
- 주파수 : 40.68 MHz
- Power : ~1000W
- 온도(히터) : ~800℃(기판 온도 < 500℃)
- 기판 사이즈 : 4인치
- 사용 가스 : SiH, +H2, +Ar, SiH, +GeF, +Ar
- 프로세스 압력 : 상압
설치장소 시험제작동 내 크린룸
  • 담당부서 : 그린에너지연구개발실
  • 담당자 : 장우석
  • 연락처 : 061-288-1012

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